Depozice pasivačních vrstev SiNx a SiO2.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54017" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54017 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Depozice pasivačních vrstev SiNx a SiO2.

Popis výsledku v původním jazyce

In the semiconductor and photovoltaic application, the surface passivation is a very important process for adjustment of silicon surface properties. It brings reduction of recombination centers that arise from previous technology steps. The surface recombination is decreased and the effective lifetime is increased. For passivation layers deposition more methods are possible. The most important method is PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) and LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition).. In this paper, deposition of the passivation layers by means of reactive magnetron sputtering is dealt.

Název v anglickém jazyce

Deposition of SiNx and SiO2 passivation layers.

Popis výsledku anglicky

In the semiconductor and photovoltaic application, the surface passivation is a very important process for adjustment of silicon surface properties. It brings reduction of recombination centers that arise from previous technology steps. The surface recombination is decreased and the effective lifetime is increased. For passivation layers deposition more methods are possible. The most important method is PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) and LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition).. In this paper, deposition of the passivation layers by means of reactive magnetron sputtering is dealt.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Mikrosyn. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

ISBN

80-214-3116-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

111-116

Název nakladatele

nakl. Z. Novotný

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

12. 12. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—