Vrstvy SiNx a SiO2 jako pasivace pro solární články.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54040" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54040 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
SiNx and SiO2 as passivation layers for high grade solar cells.
Popis výsledku v původním jazyce
In the semiconductor and photovoltaic aplication, the surface passivation is a very important process for adjustment of silicon surface properties. It brings reduction of recombination centres that arise from previous technology steps. The surface recombination is decreased and the effective lifetime is increased. For passivation layers deposition the more methods are possible. The most important method is PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) and LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Depositioon). In this paper, the passivation layers are deposited by means of reactive magnetron sputtering.
Název v anglickém jazyce
SiNx and SiO2 as passivation layers for high grade solar cells.
Popis výsledku anglicky
In the semiconductor and photovoltaic aplication, the surface passivation is a very important process for adjustment of silicon surface properties. It brings reduction of recombination centres that arise from previous technology steps. The surface recombination is decreased and the effective lifetime is increased. For passivation layers deposition the more methods are possible. The most important method is PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) and LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Depositioon). In this paper, the passivation layers are deposited by means of reactive magnetron sputtering.

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)