Reaktivní magnetronové naprašování nitridu křemíku pro pasivaci solárních článků

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU59180" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU59180 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Reactive magnetron sputtering silicon nitride layer for passivation of solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

In our work we deal with SiNX and SiO2 layers deposited by means of reactive magnetron sputtering on the different crystalline silicone surfaces. The aim of work is evaluation of both surface recombination and optical properties of this layers and theircomparison with standard solar cells made by Solartec company (Czech republic). Silicon oxide layer (10 - 20 nm) created before silicon nitride layer (70 - 80nm) deposition leads to further decrease of surface defects. Reactive magnetron sputtering elimiinate high-temperature stress in deposition process of silicon nitride and silicon dioxide. In this process is possible to obtain comparatively high deposition rate (even to 10 nm/min for SiNx).

Název v anglickém jazyce

Reactive magnetron sputtering silicon nitride layer for passivation of solar cells

Popis výsledku anglicky

In our work we deal with SiNX and SiO2 layers deposited by means of reactive magnetron sputtering on the different crystalline silicone surfaces. The aim of work is evaluation of both surface recombination and optical properties of this layers and theircomparison with standard solar cells made by Solartec company (Czech republic). Silicon oxide layer (10 - 20 nm) created before silicon nitride layer (70 - 80nm) deposition leads to further decrease of surface defects. Reactive magnetron sputtering elimiinate high-temperature stress in deposition process of silicon nitride and silicon dioxide. In this process is possible to obtain comparatively high deposition rate (even to 10 nm/min for SiNx).

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 12th Conference STUDENT EEICT 2006 Volume 3

ISBN

80-214-3162-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

171-174

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105, Brno

Místo vydání

NEUVEDEN

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

27. 4. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—