Transport náboje a šum v niob-oxidových a tantalových kondenzátorech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63882" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63882 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Charge Carriers Transport and Noise in Niobium Oxide and Tantalum Capacitors

Popis výsledku v původním jazyce

The NbO and Ta capacitor active region quality assessment is based on the evaluation of VA and noise characteristics and theirs temperature dependences. A physical model of a solid niobium and tantalum capacitor is based upon the metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. For the normal mode and low electric field the current transport is described by the Poole-Frenkel mechanism and the current noise spectral density is given by the superposition of shot and g-r noise. For the high electric field the current transport is described by tunnelling and the current noise spectral density is 1/f type. Quantum transition diagram describing these mechanisms is shown. The leakage current temperature dependence for the low electric field gives the deep levelactivation energy Ea = 0.4 eV.

Název v anglickém jazyce

Charge Carriers Transport and Noise in Niobium Oxide and Tantalum Capacitors

Popis výsledku anglicky

The NbO and Ta capacitor active region quality assessment is based on the evaluation of VA and noise characteristics and theirs temperature dependences. A physical model of a solid niobium and tantalum capacitor is based upon the metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. For the normal mode and low electric field the current transport is described by the Poole-Frenkel mechanism and the current noise spectral density is given by the superposition of shot and g-r noise. For the high electric field the current transport is described by tunnelling and the current noise spectral density is 1/f type. Quantum transition diagram describing these mechanisms is shown. The leakage current temperature dependence for the low electric field gives the deep levelactivation energy Ea = 0.4 eV.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

EDS '06 IMAPS CS International Conference Proceedings

ISBN

80-214-3246-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

154-163

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný CSc.

Místo vydání

Brno, ČR

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

14. 9. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—