Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Charakterizace nelineárních kondenzátorů metodou CBCM

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68093" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68093 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    C-V Characterization of Nonlinear Capacitors Using CBCM Method

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper deals with a modification of CBCM (Charge-Based Capacitance Measurements) for nonlinear capacitance characterization. The method is characterized by high resolution although it is based on equipment found in any average laboratory. CBCM was originally developed for linear interconnect measurements. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. A test-chip implementingthe method was designed and manufactured in 0.35&#956;m CMOS process. Verification against known capacitances proved the method correctness and accuracy. It was successfully used for MOSCAPs characterization in full operating voltage range.

  • Název v anglickém jazyce

    C-V Characterization of Nonlinear Capacitors Using CBCM Method

  • Popis výsledku anglicky

    The paper deals with a modification of CBCM (Charge-Based Capacitance Measurements) for nonlinear capacitance characterization. The method is characterized by high resolution although it is based on equipment found in any average laboratory. CBCM was originally developed for linear interconnect measurements. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. A test-chip implementingthe method was designed and manufactured in 0.35&#956;m CMOS process. Verification against known capacitances proved the method correctness and accuracy. It was successfully used for MOSCAPs characterization in full operating voltage range.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 14th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems 2007

  • ISBN

    83-922632-9-4

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    501-505

  • Název nakladatele

    Technical University of Lodz

  • Místo vydání

    Lodž, Poland

  • Místo konání akce

    Ciechocinek

  • Datum konání akce

    21. 6. 2007

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku