Charakterizace nelineárních kapacitorů na čipu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68095" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68095 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of Nonlinear On-Chip Capacitors

Popis výsledku v původním jazyce

The paper deals with nonlinear on-chip capacitor characterization. A modification of CBCM (Charge-Based Capacitance Measurements) has been proposed. The CBCM method was originally developed for linear interconnect-capacitance measurements. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. The main advantage of the method is high resolution although it is based on equipment found inany average laboratory. A test-chip implementing the method was designed and manufactured in 0.35&#61549;m CMOS process. Verification against known capacitances proved the method correctness and accuracy. The test-chip was successfully used for MOSFET gate-capacitance characterization.

Název v anglickém jazyce

Characterization of Nonlinear On-Chip Capacitors

Popis výsledku anglicky

The paper deals with nonlinear on-chip capacitor characterization. A modification of CBCM (Charge-Based Capacitance Measurements) has been proposed. The CBCM method was originally developed for linear interconnect-capacitance measurements. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. The main advantage of the method is high resolution although it is based on equipment found inany average laboratory. A test-chip implementing the method was designed and manufactured in 0.35&#61549;m CMOS process. Verification against known capacitances proved the method correctness and accuracy. The test-chip was successfully used for MOSFET gate-capacitance characterization.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 17th International Conference Radioelektronka 2007

ISBN

1-4244-0821-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

51-55

Název nakladatele

Brno University of Technology

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

24. 4. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—