Charakterizace nelineárních kapacitorů na čipu
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68100" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68100 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60162694:G43__/07:#0001049
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nonlinear On-chip Capacitor Characterization
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with a modification of the CBCM method for nonlinear on-chip capacitance characterization. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. A test-chip implementing the method was designed and manufactured in 0.35um CMOS process. Verification against known capacitances proved the method correctness and accuracy. It was used for MOSCAPs characterization in full operating voltage range.
Název v anglickém jazyce
Nonlinear On-chip Capacitor Characterization
Popis výsledku anglicky
The paper deals with a modification of the CBCM method for nonlinear on-chip capacitance characterization. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. A test-chip implementing the method was designed and manufactured in 0.35um CMOS process. Verification against known capacitances proved the method correctness and accuracy. It was used for MOSCAPs characterization in full operating voltage range.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 18th European Conference on Circuit Theory and Design ECCTD'07
ISBN
1-4244-1342-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
220-223
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Sevilla, Spain
Místo konání akce
Sevilla, Spain
Datum konání akce
26. 8. 2007
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—