Nonlinear On-Chip Capacitor Characterization

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F07%3A00398636" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/07:00398636 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nonlinear On-Chip Capacitor Characterization
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with a modification of the CBCM method for nonlinear on-chip capacitance characterization. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the object being measured. A test-chip implementing the method was designed and manufactured in the 0.35?m CMOS process. It was used for MOSCAP characterization in the full operating voltage range.
Název v anglickém jazyce
Nonlinear On-Chip Capacitor Characterization
Popis výsledku anglicky
The paper deals with a modification of the CBCM method for nonlinear on-chip capacitance characterization. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the object being measured. A test-chip implementing the method was designed and manufactured in the 0.35?m CMOS process. It was used for MOSCAP characterization in the full operating voltage range.

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
The European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD).
ISBN
978-1-4244-1341-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
220-223
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Sevilla, Spain
Místo konání akce
Sevilla, Spain
Datum konání akce
1. 1. 2007
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000258708400056

Podobné výsledky(10)