Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Charakterizace nelineárních integrovaných kondenzátorů

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU76259" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU76259 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Characterization of Nonlinear Integrated Capacitors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper deals with a modified CBCM (Charge-Based Capacitance Measurements) method for nonlinear capacitance characterization. The method is characterized by high resolution although it is based on equipment found in any average laboratory. CBCM was originally developed for linear interconnect measurements. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. A test-chip implementingthe method was designed and manufactured in the 0.35 um CMOS process. Verification against known capacitances proved the correctness and accuracy of the method. It was successfully used for MOSCAPs characterization.

  • Název v anglickém jazyce

    Characterization of Nonlinear Integrated Capacitors

  • Popis výsledku anglicky

    The paper deals with a modified CBCM (Charge-Based Capacitance Measurements) method for nonlinear capacitance characterization. The method is characterized by high resolution although it is based on equipment found in any average laboratory. CBCM was originally developed for linear interconnect measurements. The proposed modification uses two DC swept sources to measure the whole nonlinear Q-v characteristic in both polarities without the necessity to switch the measured object. A test-chip implementingthe method was designed and manufactured in the 0.35 um CMOS process. Verification against known capacitances proved the correctness and accuracy of the method. It was successfully used for MOSCAPs characterization.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0784" target="_blank" >GA102/08/0784: Speciální metody modelování a simulace spínaných obvodů</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Radioengineering

  • ISSN

    1210-2512

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    17

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus