RTS šum a kvantové přechody v submikronových součástkách MOSFET

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU70493" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU70493 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

RTS Noise and quantum transitions in submicron MOSFETs

Popis výsledku v původním jazyce

We compare two models of charge carrier capture and emission in silicon MOSFET, which is a source of RTS noise. In the SiO2 gate insulating layer and its interface with Si channel there is a high number of oxygen vacancies, creating localised states andtraps. Electron exchange between channel and traps within several nanometers distance is given by tunnelling processes and leads to generation of 1/f noise. Two possible mechanisms of electron tunnelling are discussed and theoretical results are comparedto experimental dependence of capture and emission parameters as a function of gate and drain voltage (electric field intensity) and temperature.

Název v anglickém jazyce

RTS Noise and quantum transitions in submicron MOSFETs

Popis výsledku anglicky

We compare two models of charge carrier capture and emission in silicon MOSFET, which is a source of RTS noise. In the SiO2 gate insulating layer and its interface with Si channel there is a high number of oxygen vacancies, creating localised states andtraps. Electron exchange between channel and traps within several nanometers distance is given by tunnelling processes and leads to generation of 1/f noise. Two possible mechanisms of electron tunnelling are discussed and theoretical results are comparedto experimental dependence of capture and emission parameters as a function of gate and drain voltage (electric field intensity) and temperature.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

New Trends in Physics

ISBN

978-80-7355-078-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

138-141

Název nakladatele

VUT

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

15. 11. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—