Electron Density, RTS Noise and Temperature Measurement of Submicron MOSFETs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU86944" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU86944 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electron Density, RTS Noise and Temperature Measurement of Submicron MOSFETs

Popis výsledku v původním jazyce

We compare two models of charge carrier capture and emission in silicon MOSFET, which is a source of RTS noise. In the SiO2 gate insulating layer and its interface with Si channel there is a high number of oxygen vacancies, creating localised states andtraps. Electron exchange between channel and traps within several nanometers distance is given by tunnelling processes and leads to generation of 1/f noise. Two possible mechanisms of electron tunnelling are discussed and theoretical results are comparedto experimental dependence of capture and emission parameters as a function of gate and drain voltage (electric field intensity) and temperature.

Název v anglickém jazyce

Electron Density, RTS Noise and Temperature Measurement of Submicron MOSFETs

Popis výsledku anglicky

We compare two models of charge carrier capture and emission in silicon MOSFET, which is a source of RTS noise. In the SiO2 gate insulating layer and its interface with Si channel there is a high number of oxygen vacancies, creating localised states andtraps. Electron exchange between channel and traps within several nanometers distance is given by tunnelling processes and leads to generation of 1/f noise. Two possible mechanisms of electron tunnelling are discussed and theoretical results are comparedto experimental dependence of capture and emission parameters as a function of gate and drain voltage (electric field intensity) and temperature.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GD102%2F09%2FH074" target="_blank" >GD102/09/H074: Diagnostika defektů v materiálech za použití nejnovějších defektoskopických metod</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Polymer Electronics and Nanotechnologies: towards System Integration

ISBN

978-83-7207-874-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Piotr Firek, Ryszard Kisiel

Místo vydání

Koszykowa 75 00 662 Warsaw Poland

Místo konání akce

Kyoto

Datum konání akce

1. 8. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—