Šum RTS v Si MOSFET a GaN/AlGaN HFET

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU73784" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU73784 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

RTS Noise in Si MOSFETs and GaN/AlGaN HFETs

Popis výsledku v původním jazyce

Low frequency noise of Si n-MOSFET and GaN/AlGaN HFET devices was measured in 10 uHz to 100 kHz range, given by 1/f noise and RTS noise components. RTS noise voltage signal was analysed by means of zero cross method in 1 ms to 100 s windows and noise spectral density of crossing events was found almost constant in the 10-5 to 103 Hz frequency range in all samples. This indicates that there is no 1/f fluctuation of crossing rate given by trap characteristics, although charge carrier transport mechanismsgive rise to quite different 1/f noise levels in Si and GaN devices. Statistical analysis of carrier capture and emission events duration revealed departure from exponential distribution in some samples, but any correlation among successive pulses wasn'tobvious.

Název v anglickém jazyce

RTS Noise in Si MOSFETs and GaN/AlGaN HFETs

Popis výsledku anglicky

Low frequency noise of Si n-MOSFET and GaN/AlGaN HFET devices was measured in 10 uHz to 100 kHz range, given by 1/f noise and RTS noise components. RTS noise voltage signal was analysed by means of zero cross method in 1 ms to 100 s windows and noise spectral density of crossing events was found almost constant in the 10-5 to 103 Hz frequency range in all samples. This indicates that there is no 1/f fluctuation of crossing rate given by trap characteristics, although charge carrier transport mechanismsgive rise to quite different 1/f noise levels in Si and GaN devices. Statistical analysis of carrier capture and emission events duration revealed departure from exponential distribution in some samples, but any correlation among successive pulses wasn'tobvious.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F2095" target="_blank" >GA102/05/2095: Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

WSEAS Transactions on Electronics

ISSN

1109-9445

e-ISSN

—

Svazek periodika

4

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—