Tyristor s laditelným držícím napětím. (HVASCR)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74262" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU74262 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Holding voltage adjustable Silicon Controlled Rectifier

Popis výsledku v původním jazyce

Holding Voltage Adjustable Silicon Controlled Rectifier (HVASCR) is SCR with possibility to tune holding voltage. The HVASCR structure forms good ESD (electrostatic discharge) protection. Application of such structures provides ICs robustness against ESD. In this paper a new tunable SCR based structure is introduced. TCAD simulation results were made in CMOS and structure samples were manufactured in BiCMOS 1.5um. According to the results HVASCR structure is convenient for low voltage applications in CMOS process but even for higher holding voltages in BiCMOS process. In ESD protections design is HVASCR structure useful as supply clamp or primary ESD protections. It has very big robustness against ESD stress. This is good reason along with holding voltage adjustability to use HVASCRs commercially.

Název v anglickém jazyce

Holding voltage adjustable Silicon Controlled Rectifier

Popis výsledku anglicky

Holding Voltage Adjustable Silicon Controlled Rectifier (HVASCR) is SCR with possibility to tune holding voltage. The HVASCR structure forms good ESD (electrostatic discharge) protection. Application of such structures provides ICs robustness against ESD. In this paper a new tunable SCR based structure is introduced. TCAD simulation results were made in CMOS and structure samples were manufactured in BiCMOS 1.5um. According to the results HVASCR structure is convenient for low voltage applications in CMOS process but even for higher holding voltages in BiCMOS process. In ESD protections design is HVASCR structure useful as supply clamp or primary ESD protections. It has very big robustness against ESD stress. This is good reason along with holding voltage adjustability to use HVASCRs commercially.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISSE 2008 Conference Proceedings

ISBN

978-963-06-4915-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Budapest

Datum konání akce

7. 5. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—