Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Stárnuti polovodičových monokrystalů a přechodů kov - polovodič

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74425" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU74425 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Ageing of Semiconductor Single Crystals and Metal-Semiconductor Junctions

  • Popis výsledku v původním jazyce

    CdTe radiation detectors resistance were periodically measured during long time interval with an applied voltage in range U=1V to U=30V. In 1,5 years of measurements we observed the aging of the homogenous semiconductor and metal-semiconductor junction.The resistance of the semiconductor increased significantly. The metal-semiconductor junction working in forward bias had much higher value of voltage drop than it must have had. Volt-ampere characteristics were not stable and significantly changed in small periods of time. Dependence of the resistance also was unstable.

  • Název v anglickém jazyce

    Ageing of Semiconductor Single Crystals and Metal-Semiconductor Junctions

  • Popis výsledku anglicky

    CdTe radiation detectors resistance were periodically measured during long time interval with an applied voltage in range U=1V to U=30V. In 1,5 years of measurements we observed the aging of the homogenous semiconductor and metal-semiconductor junction.The resistance of the semiconductor increased significantly. The metal-semiconductor junction working in forward bias had much higher value of voltage drop than it must have had. Volt-ampere characteristics were not stable and significantly changed in small periods of time. Dependence of the resistance also was unstable.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F07%2F0113" target="_blank" >GA102/07/0113: Diagnostika Schottkyho a studenoemisních katod pomocí elektronického šumu</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    ISSE 2008 Reliability and Life-time Prediction

  • ISBN

    978-963-06-4915-5

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Zsolt Illyefalvi-Vitez

  • Místo vydání

    Budapest, Hungary

  • Místo konání akce

    Budapest

  • Datum konání akce

    7. 5. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku