Detection and localization of defects in monocrystalline silicon solar cell
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU83905" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU83905 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Detection and localization of defects in monocrystalline silicon solar cell
Popis výsledku v původním jazyce
Near-surface defects in solar cell wafer have undesirable influence upon device properties, as its efficiency and lifetime. When reverse-bias voltage is applied to the wafer, a magnitude of electric signals from defects can be measured electronically, but the localization of defects is difficult using classical optical far-field methods. Therefore, the paper introduces a novel combination of electric and optical methods showing promise of being useful in detection and localization of defects with resolution of 250nm using near-field nondestructive characterization techniques. The results of mapped topography, local surface reflection, and local light to electric energy conversion measurement in areas with small defects strongly support the developmentand further evaluation of the technique.
Název v anglickém jazyce
Detection and localization of defects in monocrystalline silicon solar cell
Popis výsledku anglicky
Near-surface defects in solar cell wafer have undesirable influence upon device properties, as its efficiency and lifetime. When reverse-bias voltage is applied to the wafer, a magnitude of electric signals from defects can be measured electronically, but the localization of defects is difficult using classical optical far-field methods. Therefore, the paper introduces a novel combination of electric and optical methods showing promise of being useful in detection and localization of defects with resolution of 250nm using near-field nondestructive characterization techniques. The results of mapped topography, local surface reflection, and local light to electric energy conversion measurement in areas with small defects strongly support the developmentand further evaluation of the technique.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advances in Optical Technologies
ISSN
1687-6393
e-ISSN
—
Svazek periodika
2010
Číslo periodika v rámci svazku
805325
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—