Performance Testing of a MOSFET Sensor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU90249" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU90249 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Performance Testing of a MOSFET Sensor

Popis výsledku v původním jazyce

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) sensors are based on a triple layer structure consisting of a catalytic gate metal, an insulator (oxide) and a semiconductor layer. Adsorbed hydrogen molecules on the metal surface dissociate anddiffuse to the metal-oxide interface where they produce a change in the electrical properties of the transistor, which can be correlated to the hydrogen concentration in the ambient atmosphere. The performance of 2 identical commercially available MOSFET has been tested in terms of their accuracy, measuring range, cross-sensitivity to CO, as well as the influence of ambient temperature, pressure and relative humidity on their response. Results are compared with those obtained previously for a number ofother sensor types.

Název v anglickém jazyce

Performance Testing of a MOSFET Sensor

Popis výsledku anglicky

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) sensors are based on a triple layer structure consisting of a catalytic gate metal, an insulator (oxide) and a semiconductor layer. Adsorbed hydrogen molecules on the metal surface dissociate anddiffuse to the metal-oxide interface where they produce a change in the electrical properties of the transistor, which can be correlated to the hydrogen concentration in the ambient atmosphere. The performance of 2 identical commercially available MOSFET has been tested in terms of their accuracy, measuring range, cross-sensitivity to CO, as well as the influence of ambient temperature, pressure and relative humidity on their response. Results are compared with those obtained previously for a number ofother sensor types.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proccedings of 18th World Hydrogen Energy Conference 2010, Essen, Germany

ISBN

978-3-89336-655-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Essen

Datum konání akce

16. 5. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—