Žíhání metodou RTP křemíkových substrátů s vysokou a nízkou dobou života minoritních nosičů náboje

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU92776" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU92776 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Žíhání metodou RTP křemíkových substrátů s vysokou a nízkou dobou života minoritních nosičů náboje

Popis výsledku v původním jazyce

Rychlé Tepelné Procesy RTP jsou jednou z používaných technologií v polovodičovém průmyslu. Mezi její vlastnosti patří dosažení vysokých teplot (až 1400C) během několika sekund (až 200C/s). Takových vlastností je možné dosahovat halogenovými lampami, které slouží jako zdroj tepla a IR záření. Křemíkový substrát je v peci položen a nestojí v lodičce jako u běžných pecí. Lampami je substrát ohříván shora a zdola. Ohřívá se po celém povrchu a nevzniká zde gradient teploty mezi okrajem a prostředkem desky. Předešlými experimenty jsme prokázali, že žíháním metodou RTP je možné značně zvýšit dobu života minoritních nosičů. Tento jev byl pozorován na p-typových deskách s charakteristickými obrazci - swirls patrnými při měření metodou MWPCD. Jako nejvhodnější se z celé škály teplotních profilů ukázal ten, při němž docházelo k žíhání 310C po dobu 10 sekund. Tento jev zvýšení doby života minoritních nosičů náb

Název v anglickém jazyce

RTP Annealing of Silicon Wafers with High and Low Minority Carrier Lifetime

Popis výsledku anglicky

Rapid Thermal Processes RTP is one of the technologies used in the semiconductor industry. It is properties include the attainment of high temperatures (up to 1400C) during several seconds (up to 200C /s). Such properties can be achieved with halogen lamps, which serve as a source of heat and IR radiation. Silicon substrate is placed in the oven and not stands in the boat as a conventional oven. Lamps substrate is heated from above and from below. There is not temperature gradient between the edge and center of wafer. Previous experiments we demonstrated that RTP can significantly increase the minority carrier lifetime. This phenomenon was observed on the p-type wafers with the characteristic "swirls" visible in the measurement method MWPCD. Like mostof the entire range of temperature profiles revealed that with 310C annealing for 10 seconds. This phenomenon increases the lifetime of minority charge carriers was observed in wafers with an initial minority carrier lifetime from 5 micro

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník příspěvků z 5. České fotovoltaické konferfence

ISBN

978-80-254-8906-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

120

Strana od-do

79-81

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

10. 11. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—