Negatively Charged Al2O3 Layers Deposited by Magnetron Sputtering and Vacuum Evaporation for Crystalline Silicon Solar Cell BSF
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU94352" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU94352 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/45309787:_____/11:#0000011
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Negatively Charged Al2O3 Layers Deposited by Magnetron Sputtering and Vacuum Evaporation for Crystalline Silicon Solar Cell BSF
Popis výsledku v původním jazyce
The main goal of our work is utilization of well established vacuum technologies as magnetron sputtering and vacuum evaporation for transfer of the aluminum oxide deposition process from ALD (Atomic layer deposition) technique to the industrial sputtering system with the aim to implement high quality back-surface field (BSF) passivation into a large and effective deposition system in the technology processes of Solartec company. The passivation effect is tested by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) measuring method with deposition of identical passivation layers on both sides of Czochralski (CZ) p- and n-type substrates.
Název v anglickém jazyce
Negatively Charged Al2O3 Layers Deposited by Magnetron Sputtering and Vacuum Evaporation for Crystalline Silicon Solar Cell BSF
Popis výsledku anglicky
The main goal of our work is utilization of well established vacuum technologies as magnetron sputtering and vacuum evaporation for transfer of the aluminum oxide deposition process from ALD (Atomic layer deposition) technique to the industrial sputtering system with the aim to implement high quality back-surface field (BSF) passivation into a large and effective deposition system in the technology processes of Solartec company. The passivation effect is tested by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) measuring method with deposition of identical passivation layers on both sides of Czochralski (CZ) p- and n-type substrates.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/FR-TI1%2F603" target="_blank" >FR-TI1/603: Implementace efektivní technologie nanášení tenkých pasivačních a antireflexních vrstev do výroby krystalických solárních článků</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
EU PVSEC Proceedings, 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
ISBN
3-936338-27-2
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1783-1786
Název nakladatele
WIP Wirtschaft und Infrastruktur GmbH & Co Planungs KG
Místo vydání
Sylvensteinstr. 2 81369 München Germany
Místo konání akce
Hamburg
Datum konání akce
5. 9. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—