Metal-Semiconductor Junction Role in CdTe Detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU104104" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU104104 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.degruyter.com/view/j/aeei.2013.13.issue-1/aeei-2013-0004/aeei-2013-0004.xml?format=INT" target="_blank" >http://www.degruyter.com/view/j/aeei.2013.13.issue-1/aeei-2013-0004/aeei-2013-0004.xml?format=INT</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.2478/aeei-2013-0004" target="_blank" >10.2478/aeei-2013-0004</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Metal-Semiconductor Junction Role in CdTe Detectors

Popis výsledku v původním jazyce

We have performed noise spectroscopy and charge transport properties analysis of CdTe detectors. Two types of high volume detectors are compared: Low ohmic (based on low resistivity crystal material 70 Ohm cm) and semi-insulating ( 10^8 Ohmcm).The theoretical fundaments of contacts role in detector system are given. We observed high asymmetry of IV characteristics of the lowohmic sample between normal and reverse bias, showing improper quality of contacts preparation, caused by higher concentration of impurities in metal-semiconductor area. This finding is supported by the fact that the low frequency noise spectral density is proportional to applied voltage with exponent 2.7, which is higher than the theoretical value 2.The semi-insulating sample verygood contact rectification effect symmetry and less additive noise to the detector system.

Název v anglickém jazyce

Metal-Semiconductor Junction Role in CdTe Detectors

Popis výsledku anglicky

We have performed noise spectroscopy and charge transport properties analysis of CdTe detectors. Two types of high volume detectors are compared: Low ohmic (based on low resistivity crystal material 70 Ohm cm) and semi-insulating ( 10^8 Ohmcm).The theoretical fundaments of contacts role in detector system are given. We observed high asymmetry of IV characteristics of the lowohmic sample between normal and reverse bias, showing improper quality of contacts preparation, caused by higher concentration of impurities in metal-semiconductor area. This finding is supported by the fact that the low frequency noise spectral density is proportional to applied voltage with exponent 2.7, which is higher than the theoretical value 2.The semi-insulating sample verygood contact rectification effect symmetry and less additive noise to the detector system.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F11%2F0995" target="_blank" >GAP102/11/0995: Transport elektronů, šum a diagnostika Shottkyho a autoemisních katod</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ACTA PHYSICA POLONICA A

ISSN

0587-4246

e-ISSN

—

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

PL - Polská republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

22-25

Kód UT WoS článku

000318549000098

EID výsledku v databázi Scopus

—