AFM imaging and fractaí analysis of surface roughness of AlN epilayers deposited on saphire substrate
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU106136" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU106136 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
AFM imaging and fractaí analysis of surface roughness of AlN epilayers deposited on saphire substrate
Popis výsledku v původním jazyce
Aluminum nitride (AlN) is a direct wide band gap semiconductor which attracts much attention due to wide range of application and its unique properties. AlN thin films were obtained by magnetron sputtering of aluminum target. The quality of AlN surface topography plays important role in various optoelectronic devices. To understand how the effect of temperature changes the epilayers surface, the surface topography is characterized through atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis.
Název v anglickém jazyce
AFM imaging and fractaí analysis of surface roughness of AlN epilayers deposited on saphire substrate
Popis výsledku anglicky
Aluminum nitride (AlN) is a direct wide band gap semiconductor which attracts much attention due to wide range of application and its unique properties. AlN thin films were obtained by magnetron sputtering of aluminum target. The quality of AlN surface topography plays important role in various optoelectronic devices. To understand how the effect of temperature changes the epilayers surface, the surface topography is characterized through atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of 8th Solid State Surfaces and Interfaces
ISBN
978-80-223-3501-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
33-34
Název nakladatele
Comenius University
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Snolenice
Datum konání akce
18. 11. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—