Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

AFM imaging and fractaí analysis of surface roughness of AlN epilayers deposited on saphire substrate

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU106136" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU106136 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    AFM imaging and fractaí analysis of surface roughness of AlN epilayers deposited on saphire substrate

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Aluminum nitride (AlN) is a direct wide band gap semiconductor which attracts much attention due to wide range of application and its unique properties. AlN thin films were obtained by magnetron sputtering of aluminum target. The quality of AlN surface topography plays important role in various optoelectronic devices. To understand how the effect of temperature changes the epilayers surface, the surface topography is characterized through atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis.

  • Název v anglickém jazyce

    AFM imaging and fractaí analysis of surface roughness of AlN epilayers deposited on saphire substrate

  • Popis výsledku anglicky

    Aluminum nitride (AlN) is a direct wide band gap semiconductor which attracts much attention due to wide range of application and its unique properties. AlN thin films were obtained by magnetron sputtering of aluminum target. The quality of AlN surface topography plays important role in various optoelectronic devices. To understand how the effect of temperature changes the epilayers surface, the surface topography is characterized through atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of 8th Solid State Surfaces and Interfaces

  • ISBN

    978-80-223-3501-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    33-34

  • Název nakladatele

    Comenius University

  • Místo vydání

    Bratislava

  • Místo konání akce

    Snolenice

  • Datum konání akce

    18. 11. 2013

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku