Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APU107185" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PU107185 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This work aims to determine the suitability of use of low-temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick film technology in applications with semiconductors based on SiC and GaN, which have high operating temperature. Especially, Heraeus HeraLock 2000 substrate is investigated. The paper is mainly focused on the behaviour and reliability of wire-bonds, which are used for connection of the above-mentioned semiconducting devices with a circuit or a package. A test sample was designed for this purpose, which was subjected to thermal load. Subsequently, changes in the bonds resistivity were studied, together with their strength and any defects caused by the thermal load. Other properties, such as termomechanical stress of the material for different temperature profiles were simulated in the ANSYS software. Created mathematical model simulated and compared differences between gold and aluminium wire-bond.

  • Název v anglickém jazyce

    Wire-Bonds Durability in High-Temperature Applications

  • Popis výsledku anglicky

    This work aims to determine the suitability of use of low-temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick film technology in applications with semiconductors based on SiC and GaN, which have high operating temperature. Especially, Heraeus HeraLock 2000 substrate is investigated. The paper is mainly focused on the behaviour and reliability of wire-bonds, which are used for connection of the above-mentioned semiconducting devices with a circuit or a package. A test sample was designed for this purpose, which was subjected to thermal load. Subsequently, changes in the bonds resistivity were studied, together with their strength and any defects caused by the thermal load. Other properties, such as termomechanical stress of the material for different temperature profiles were simulated in the ANSYS software. Created mathematical model simulated and compared differences between gold and aluminium wire-bond.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ElectroScope - http://www.electroscope.zcu.cz

  • ISSN

    1802-4564

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    2013

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    7-11

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus