Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

AFM imaging and fractal analysis of surface roughness of AlN epilayers on sapphire substrates

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APU109929" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PU109929 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.086" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.086</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.086" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2014.05.086</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    AFM imaging and fractal analysis of surface roughness of AlN epilayers on sapphire substrates

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper deals with AFM imaging and characterization of 3D surface morphology of aluminum nitride (AlN) epilayers on sapphire substrates prepared by magnetron sputtering. Due to the effect of temperature changes on epilayer's surface during the fabrication, a surface morphology is studied by combination of atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis methods. Both methods are useful tools that may assist manufacturers in developing and fabricating AlN thin films with optimal surface characteristics. Furthermore, they provide different yet complementary information to that offered by traditional surface statistical parameters. This combination is used for the first time for measurement on AlN epilayers on sapphire substrates, and provides the overall 3D morphology of the sample surfaces (by AFM imaging), and reveals fractal characteristics in the surface morphology (fractal analysis).

  • Název v anglickém jazyce

    AFM imaging and fractal analysis of surface roughness of AlN epilayers on sapphire substrates

  • Popis výsledku anglicky

    The paper deals with AFM imaging and characterization of 3D surface morphology of aluminum nitride (AlN) epilayers on sapphire substrates prepared by magnetron sputtering. Due to the effect of temperature changes on epilayer's surface during the fabrication, a surface morphology is studied by combination of atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis methods. Both methods are useful tools that may assist manufacturers in developing and fabricating AlN thin films with optimal surface characteristics. Furthermore, they provide different yet complementary information to that offered by traditional surface statistical parameters. This combination is used for the first time for measurement on AlN epilayers on sapphire substrates, and provides the overall 3D morphology of the sample surfaces (by AFM imaging), and reveals fractal characteristics in the surface morphology (fractal analysis).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Surface Science

  • ISSN

    0169-4332

  • e-ISSN

    1873-5584

  • Svazek periodika

    312

  • Číslo periodika v rámci svazku

    312

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    81-86

  • Kód UT WoS článku

    000339998700014

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84904760054