Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

0.3V Bulk-driven current conveyor

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F19%3APU132073" target="_blank" >RIV/00216305:26220/19:PU132073 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21460/19:00340702

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8715344" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8715344</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2019.2916897" target="_blank" >10.1109/ACCESS.2019.2916897</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    0.3V Bulk-driven current conveyor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This paper presents the design and the experimental results of a sub 0.5 V bulk-driven (BD) current conveyor (CCII) using 0.18 µm TSMC CMOS technology with total chip area of 0.0134 mm2. All transistors are biased in subthreshold region for low-voltage low-power operation and the input transistors are controlled from their bulk terminals for rail-to-rail input voltage range. The circuit is designed to work with voltage supply (VDD = 0.3V) which is much lower than the threshold voltage of the MOS transistor (VTH=0.5V) while consuming 19 nW of power. The measurement results confirm the proper function of the proposed circuit.

  • Název v anglickém jazyce

    0.3V Bulk-driven current conveyor

  • Popis výsledku anglicky

    This paper presents the design and the experimental results of a sub 0.5 V bulk-driven (BD) current conveyor (CCII) using 0.18 µm TSMC CMOS technology with total chip area of 0.0134 mm2. All transistors are biased in subthreshold region for low-voltage low-power operation and the input transistors are controlled from their bulk terminals for rail-to-rail input voltage range. The circuit is designed to work with voltage supply (VDD = 0.3V) which is much lower than the threshold voltage of the MOS transistor (VTH=0.5V) while consuming 19 nW of power. The measurement results confirm the proper function of the proposed circuit.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LO1401" target="_blank" >LO1401: Interdisciplinární výzkum bezdrátových technologií</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Access

  • ISSN

    2169-3536

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    7

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1, IF: 4.098

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    65122-65128

  • Kód UT WoS článku

    000470036400001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85066626284