0.3V Bulk-Driven Current Conveyor
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21460%2F19%3A00340702" target="_blank" >RIV/68407700:21460/19:00340702 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/19:PU132073
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1109/ACCESS.2019.2916897" target="_blank" >https://doi.org/10.1109/ACCESS.2019.2916897</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2019.2916897" target="_blank" >10.1109/ACCESS.2019.2916897</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
0.3V Bulk-Driven Current Conveyor
Popis výsledku v původním jazyce
This paper presents the design and the experimental results of a sub 0.5 V bulk-driven (BD) current conveyor (CCII) using 0.18 mu m TSMC CMOS technology with a total chip area of 0.0134 mm(2). All transistors are biased in the subthreshold region for low-voltage low-power operation and the input transistors are controlled from their bulk terminals for rail-to-rail input voltage range. The circuit is designed to work with voltage supply (V-DD = 0.3V), which is much lower than the threshold voltage of the MOS transistor (V-TH = 0.5V) while consuming 19 nW of power. The measurement results confirm the proper function of the proposed circuit.
Název v anglickém jazyce
0.3V Bulk-Driven Current Conveyor
Popis výsledku anglicky
This paper presents the design and the experimental results of a sub 0.5 V bulk-driven (BD) current conveyor (CCII) using 0.18 mu m TSMC CMOS technology with a total chip area of 0.0134 mm(2). All transistors are biased in the subthreshold region for low-voltage low-power operation and the input transistors are controlled from their bulk terminals for rail-to-rail input voltage range. The circuit is designed to work with voltage supply (V-DD = 0.3V), which is much lower than the threshold voltage of the MOS transistor (V-TH = 0.5V) while consuming 19 nW of power. The measurement results confirm the proper function of the proposed circuit.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
IEEE Access
ISSN
2169-3536
e-ISSN
2169-3536
Svazek periodika
7
Číslo periodika v rámci svazku
2019
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
65122-65128
Kód UT WoS článku
000470036400001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85066626284