Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition of SiO2-Like Films: Monitoring and Optimization of the Process

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F12%3APU105243" target="_blank" >RIV/00216305:26310/12:PU105243 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition of SiO2-Like Films: Monitoring and Optimization of the Process

Popis výsledku v původním jazyce

This work focuses on high density thin films deposited by PECVD using hexamethyldisiloxane precursor. Optical emission spectroscopy was used for plasma diagnostics. Oxygen transmission rate and infrared spectra of deposited layers were measured. Optimalexperimental conditions for low carbon content layers and layers with good barrier properties were determined.

Název v anglickém jazyce

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition of SiO2-Like Films: Monitoring and Optimization of the Process

Popis výsledku anglicky

This work focuses on high density thin films deposited by PECVD using hexamethyldisiloxane precursor. Optical emission spectroscopy was used for plasma diagnostics. Oxygen transmission rate and infrared spectra of deposited layers were measured. Optimalexperimental conditions for low carbon content layers and layers with good barrier properties were determined.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

AC - Archeologie, antropologie, etnologie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů