Thin Films on the Basis of Chromium and Their Selected Properties
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F04%3A00104398" target="_blank" >RIV/68407700:21220/04:00104398 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thin Films on the Basis of Chromium and Their Selected Properties
Popis výsledku v původním jazyce
From chromium based layers there were selected chromium oxide and chromium nitride layers. Metal organic chemical vapour deposition methods of layer preparation were used. The oxide layers were prepared from acetylacetonate of chromium. The nitride layers were prepared from the mixture of bis(benzene)chromium and ammonia. The temperature of deposition was carried out in the temperature range 350-6500C. The oxide layers prepared at the temperatures below 4500C were amorphous and the layers prepared at the temperature 5500C and above were generally polycrystalline. The hardness of the deposited chromium oxide layers on silicon substrates was 18-25 GPa. The hardness of the deposited chromium nitride layers on silicon substrates was 15-20GPa.
Název v anglickém jazyce
Thin Films on the Basis of Chromium and Their Selected Properties
Popis výsledku anglicky
From chromium based layers there were selected chromium oxide and chromium nitride layers. Metal organic chemical vapour deposition methods of layer preparation were used. The oxide layers were prepared from acetylacetonate of chromium. The nitride layers were prepared from the mixture of bis(benzene)chromium and ammonia. The temperature of deposition was carried out in the temperature range 350-6500C. The oxide layers prepared at the temperatures below 4500C were amorphous and the layers prepared at the temperature 5500C and above were generally polycrystalline. The hardness of the deposited chromium oxide layers on silicon substrates was 18-25 GPa. The hardness of the deposited chromium nitride layers on silicon substrates was 15-20GPa.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JG - Hutnictví, kovové materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 11th Nordic Symposium on Tribology NORDTRIB 2004
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
—
Název nakladatele
Norwegian University of Science and Technology
Místo vydání
Trondheim
Místo konání akce
Tromso - Harstad
Datum konání akce
1. 6. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—