Nonthermal tetravinylsilane plasma used for thin-film deposition: Plasma chemistry controls thin-film chemistry
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26310%2F21%3APU143001" target="_blank" >RIV/00216305:26310/21:PU143001 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/ppap.202100192" target="_blank" >https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/ppap.202100192</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/ppap.202100192" target="_blank" >10.1002/ppap.202100192</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nonthermal tetravinylsilane plasma used for thin-film deposition: Plasma chemistry controls thin-film chemistry
Popis výsledku v původním jazyce
The power dependence of the plasma species in nonthermal tetravinylsilane plasmas used for thin-film deposition is investigated by mass spectrometry. Mass spectra analysis reveals the dominant carbon and silicon-containing species responsible for film growth. The deposition rate determined by in situ spectroscopic ellipsometry correlates with the flux of these species chemisorbed on the film surface if distinct sticking coefficients are taken into account. Then, the carbon to silicon ratio in the deposited film strongly correlates with the C/Si flux ratio for the various power-controlled plasmas. Similarly, the concentration of vinyl groups incorporated into the deposited film and the proportion of sp2 hybridization of the carbon network correlate with the fluxes of the respective plasma species.
Název v anglickém jazyce
Nonthermal tetravinylsilane plasma used for thin-film deposition: Plasma chemistry controls thin-film chemistry
Popis výsledku anglicky
The power dependence of the plasma species in nonthermal tetravinylsilane plasmas used for thin-film deposition is investigated by mass spectrometry. Mass spectra analysis reveals the dominant carbon and silicon-containing species responsible for film growth. The deposition rate determined by in situ spectroscopic ellipsometry correlates with the flux of these species chemisorbed on the film surface if distinct sticking coefficients are taken into account. Then, the carbon to silicon ratio in the deposited film strongly correlates with the C/Si flux ratio for the various power-controlled plasmas. Similarly, the concentration of vinyl groups incorporated into the deposited film and the proportion of sp2 hybridization of the carbon network correlate with the fluxes of the respective plasma species.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10403 - Physical chemistry
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA16-09161S" target="_blank" >GA16-09161S: Syntéza multifunkčních plazmových polymerů pro polymerní kompozity bez rozhraní</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Plasma Processes and Polymers
ISSN
1612-8850
e-ISSN
1612-8869
Svazek periodika
neuveden
Číslo periodika v rámci svazku
e2100192
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
1-13
Kód UT WoS článku
000734997800001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85122012747