Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F13%3APU104256" target="_blank" >RIV/00216305:26620/13:PU104256 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques

Popis výsledku v původním jazyce

A round-robin characterization is reported on the sputter depth profiling of [60 x (3.0 nm Mo/0.3 nm B4C/3.7 nm Si)] and [60 x (3.5 nm Mo/3.5 nm Si)] stacks deposited on Si(111). Two different commercial secondary ion mass spectrometers with time-of-flight and magnetic-sector analyzers, a pulsed radio frequency glow discharge optical emission spectrometer, and a home-built time-of-flight low-energy ion scattering and quadrupole-based secondary ion mass spectrometer were used. The influence of the experimental conditions, especially the type and energy of sputter ions, on the depth profiles of Mo/Si nanostructures with and without B4C barrier layers is discussed in terms of depth resolution, modulation factor and rapidity of analysis. The pros and consof each instrumental approach are summarized.

Název v anglickém jazyce

Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques

Popis výsledku anglicky

A round-robin characterization is reported on the sputter depth profiling of [60 x (3.0 nm Mo/0.3 nm B4C/3.7 nm Si)] and [60 x (3.5 nm Mo/3.5 nm Si)] stacks deposited on Si(111). Two different commercial secondary ion mass spectrometers with time-of-flight and magnetic-sector analyzers, a pulsed radio frequency glow discharge optical emission spectrometer, and a home-built time-of-flight low-energy ion scattering and quadrupole-based secondary ion mass spectrometer were used. The influence of the experimental conditions, especially the type and energy of sputter ions, on the depth profiles of Mo/Si nanostructures with and without B4C barrier layers is discussed in terms of depth resolution, modulation factor and rapidity of analysis. The pros and consof each instrumental approach are summarized.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED1.1.00%2F02.0068" target="_blank" >ED1.1.00/02.0068: CEITEC - central european institute of technology</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

540

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

96-105

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—