Aluminum nitride based piezoelectric harvesters

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F19%3APU137887" target="_blank" >RIV/00216305:26620/19:PU137887 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Aluminum nitride based piezoelectric harvesters

Popis výsledku v původním jazyce

This work demonstrates the fabrication of simple of AlN-based piezoelectric energy harvesters (PEH), made of cantilevers with thin films prepared by ion beam-assisted deposition. The preferentially (001) orientated AlN thin films have exceptionally high piezoelectric coefficients of (7.33 +/- 0.08) pC.N-1. The fabrication of PEH was done using only three lithography steps, employing conventional silicon substrate with precise control of the cantilever and it's mass thicknesses. The AlN deposition was done at a temperature of approximate to 330 degrees C which makes it compatible with complementary metal oxide semiconductor technology (CMOS). The PEH cantilever deflection and efficiency were characterized using both laser interferometry and a vibration shaker, respectively. This technology could become useful for future CMOS-based energy harvesters integrated on chip with circuits.

Název v anglickém jazyce

Aluminum nitride based piezoelectric harvesters

Popis výsledku anglicky

This work demonstrates the fabrication of simple of AlN-based piezoelectric energy harvesters (PEH), made of cantilevers with thin films prepared by ion beam-assisted deposition. The preferentially (001) orientated AlN thin films have exceptionally high piezoelectric coefficients of (7.33 +/- 0.08) pC.N-1. The fabrication of PEH was done using only three lithography steps, employing conventional silicon substrate with precise control of the cantilever and it's mass thicknesses. The AlN deposition was done at a temperature of approximate to 330 degrees C which makes it compatible with complementary metal oxide semiconductor technology (CMOS). The PEH cantilever deflection and efficiency were characterized using both laser interferometry and a vibration shaker, respectively. This technology could become useful for future CMOS-based energy harvesters integrated on chip with circuits.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

20704 - Energy and fuels

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

19th International Conference on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications (Power MEMS) Conference Proceedings

ISBN

978-1-7281-5638-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

NEW YORK

Místo konání akce

Krakow

Datum konání akce

2. 12. 2019

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000576757900079