Analýzy povrchů polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu a kvantitativní analýza dopantů

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F21%3APR36252" target="_blank" >RIV/00216305:26620/21:PR36252 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://nano.ceitec.cz/" target="_blank" >http://nano.ceitec.cz/</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Analýzy povrchů polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu a kvantitativní analýza dopantů
Popis výsledku v původním jazyce
Tato technická zpráva shrnuje metodologii, resp. specifické přístupy k charakterizaci polovodičů s širokým zakázaným pásem, zejména SiC, které byly vyvinuty při řešení projektu TH03020005. U každé uvedené techniky je detailně popsáno použité experimentální vybavení a následně specifika pro měření SiC vzorků a jejich relevantních charakteristik, včetně typizovaného výledku.
Název v anglickém jazyce
Analysis of wide band-gap semiconductor surfaces and quantitative dopant mapping
Popis výsledku anglicky
The technical note summarizes methodology, e.g. specific approach to the characterization of wide band-gap semiconductors (with emphasis on SiC), that were developed within project TH03020005. Every experimental technique is described in detail, including instrumentation and specific issues for SiC analysis. The report also shows typical results.

Projekt
<a href="/cs/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)