Study of ALD Grown Multilayers Exhibiting Vacancy Induced Conductivity for Electron Emitters
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F24%3APU155972" target="_blank" >RIV/00216305:26620/24:PU155972 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68081731:_____/24:00617488
Výsledek na webu
<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10652514" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10652514</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/IVNC63480.2024.10652514" target="_blank" >10.1109/IVNC63480.2024.10652514</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Study of ALD Grown Multilayers Exhibiting Vacancy Induced Conductivity for Electron Emitters
Popis výsledku v původním jazyce
Thin oxide multilayers are prepared using low-temperature atomic layer deposition (ALD). The tungsten samples are coated with a multilayer stacks of refractory oxides: Al2O3, TiO2, VO2, and HfO2. The properties of the multilayer oxide are controlled by the number of ALD growth cycles, which affects the thickness of the individual layers. The grown layers of dielectrics are usually amorphous. The contaminants present in the ALD chamber also affect the properties of the final multilayer. Tuning the multilayer stack thickness and composition may result in non-conventional effects on field emission from the sharp needle underneath the dielectric layer. Such effects may be oxygen-vacancy-induced conductivity, effects due to polarization of the dielectric or plamonic carrier generation in the case of photon-assisted field emission.
Název v anglickém jazyce
Study of ALD Grown Multilayers Exhibiting Vacancy Induced Conductivity for Electron Emitters
Popis výsledku anglicky
Thin oxide multilayers are prepared using low-temperature atomic layer deposition (ALD). The tungsten samples are coated with a multilayer stacks of refractory oxides: Al2O3, TiO2, VO2, and HfO2. The properties of the multilayer oxide are controlled by the number of ALD growth cycles, which affects the thickness of the individual layers. The grown layers of dielectrics are usually amorphous. The contaminants present in the ALD chamber also affect the properties of the final multilayer. Tuning the multilayer stack thickness and composition may result in non-conventional effects on field emission from the sharp needle underneath the dielectric layer. Such effects may be oxygen-vacancy-induced conductivity, effects due to polarization of the dielectric or plamonic carrier generation in the case of photon-assisted field emission.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
21000 - Nano-technology
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LM2018110" target="_blank" >LM2018110: Výzkumná infrastruktura CzechNanoLab</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
International Vacuum Nanoelectronics Conference
ISBN
979-8-3503-7977-8
ISSN
2164-2370
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
1-2
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
NEW YORK
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
15. 7. 2024
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
001310530600068