How Xe and Ga FIB differ in inducing lateral damage on TEM samples

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F01733214%3A_____%2F15%3A00000007" target="_blank" >RIV/01733214:_____/15:00000007 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26620/15:PU128836

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

How Xe and Ga FIB differ in inducing lateral damage on TEM samples

Popis výsledku v původním jazyce

Reducing FIB induced damage on TEM samples is very important in order to preserve the sample structure, especially on modern semiconductor devices. We have compared the damage caused by Ga ion beam to our measurements of the damage caused by Xe ion beam and came to the conclusion that Xe ion beam induced damage is significantly lower at 30 keV beam energy. This has been proven by several independent analytical methods. Our results show that TEM sample preparation by Xe ion beam causes less amorphous damage and increase the quality of the lamella and in many cases it will allow to prepare the lamella by finishing it even at 30 keV, without the final cleaning step at the low beam energy. Final polishing step by Xe beam at beam energy 3 keV further reduces the amorphous layer, but the difference against Ga beam is not so significant like at 30 keV.

Název v anglickém jazyce

How Xe and Ga FIB differ in inducing lateral damage on TEM samples

Popis výsledku anglicky

Reducing FIB induced damage on TEM samples is very important in order to preserve the sample structure, especially on modern semiconductor devices. We have compared the damage caused by Ga ion beam to our measurements of the damage caused by Xe ion beam and came to the conclusion that Xe ion beam induced damage is significantly lower at 30 keV beam energy. This has been proven by several independent analytical methods. Our results show that TEM sample preparation by Xe ion beam causes less amorphous damage and increase the quality of the lamella and in many cases it will allow to prepare the lamella by finishing it even at 30 keV, without the final cleaning step at the low beam energy. Final polishing step by Xe beam at beam energy 3 keV further reduces the amorphous layer, but the difference against Ga beam is not so significant like at 30 keV.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Název statě ve sborníku

ISTFA 2015: Proceedings of the 41st International Symposium for Testing and Failure Analysis

ISBN

9781627081023

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

60-65

Název nakladatele

ASM International

Místo vydání

Portland

Místo konání akce

Portland

Datum konání akce

—

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—