TH01010419-2015V004 Functional sample of SOI substrate for TIGBT

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F15%3A%230000088" target="_blank" >RIV/26821532:_____/15:#0000088 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

TH01010419-2015V004 Functional sample of SOI substrate for TIGBT

Popis výsledku v původním jazyce

Semiconductor wafer - Silicon-On-Insulator (SOI). Produced on 9/Dec/2015. Diameter: 150.0 +/- 0.2 mm, Thickness: 632 +/- 6 um (measured value: 637 um), Total thickness variation +/- 4 um (measured value: 0.4 um), WARP max. 50 um (measured value:47 um), BOW max. 30 um (real value 18 um). Handle wafer: CZ Si <100>, undoped, Resistivity >100 ohm.cm, Oxygen content 26-34 ppma (ASTM F121-79), carbon content <0.5 ppma (ASTM F1391), Thickness 525 +/- 5 um. Device layer: FZ Si <100>, Dopant: Phosphorus, Resistivity 72-88 ohmcm, Oxygen content max. 0.4 ppm, Thickness 107.14 +/- 0.11 um, Polished, Localized light scattzers (LLS) max. 50 <300 nm (by laser scan). Gettering layer 650 +/- 20 nm, buried undoped polycrystalline layer. Buried oxide (BOX) 610 - 630 nm,thermal SiO2.

Název v anglickém jazyce

TH01010419-2015V004 Functional sample of SOI substrate for TIGBT

Popis výsledku anglicky

Semiconductor wafer - Silicon-On-Insulator (SOI). Produced on 9/Dec/2015. Diameter: 150.0 +/- 0.2 mm, Thickness: 632 +/- 6 um (measured value: 637 um), Total thickness variation +/- 4 um (measured value: 0.4 um), WARP max. 50 um (measured value:47 um), BOW max. 30 um (real value 18 um). Handle wafer: CZ Si <100>, undoped, Resistivity >100 ohm.cm, Oxygen content 26-34 ppma (ASTM F121-79), carbon content <0.5 ppma (ASTM F1391), Thickness 525 +/- 5 um. Device layer: FZ Si <100>, Dopant: Phosphorus, Resistivity 72-88 ohmcm, Oxygen content max. 0.4 ppm, Thickness 107.14 +/- 0.11 um, Polished, Localized light scattzers (LLS) max. 50 <300 nm (by laser scan). Gettering layer 650 +/- 20 nm, buried undoped polycrystalline layer. Buried oxide (BOX) 610 - 630 nm,thermal SiO2.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TH01010419" target="_blank" >TH01010419: Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

TH01010419-2015V004

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Gettering Silicon-On-Insulator pro TIGBT, polovodičová deska: průměr 150 mm, tloušťka substrátu: 525 um (CZ Si <100>, měrný elektrický odpor >100 ohmcm), tloušťka device vrstvy: 107 +/- 1.5 um (FZ Si <100>, měrný elektrický odpor 72-88 ohmcm), tloušťka BOX 610 - 630 nm (utopená vrstva termického SiO2), tloušťka getrační vrstvy 650 +/- 20 um (nedopovaný polykrystalický křemík). Výsledek využije ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. (IČ 26821532) ve vlastní výrobě. Odpovědná osoba: Michal Lorenc, ON SEMICONDUCTOR, 1. máje 2230, 7561 61 Rožnov p.R., +420 571 754 507, michal.lorenc@onsemi.com.

Ekonomické parametry

Jednotková cena desky < 150 USD. Potvrzená poptávka (TIGBT/CZ4 2016): 50 desek/týden. Dlouhodobý komerční potenciál >1000 desek/měsíc.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—