Ověřená technologie výroby rychlých vysokonapěťových křemíkových diod

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000004 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Ověřená technologie výroby rychlých vysokonapěťových křemíkových diod

Popis výsledku v původním jazyce

Kompletní výrobní postup v systému PROMIS, včetně kompletní elektrické charakterizace vyrobených funkčních vzorků. Výrobní postup vysokonapěťových diod sestává z 5-6 fotolitografických úrovní a s dalších návazných procesních kroků – mokré nebo suché leptání dielektrických, iontová implantace, vysokoteplotní oxidace, vysokoteplotní difúze, depozice dielektrických vrstev, depozice a leptání vrstvy metalizace. Výsledkem výrobního postupu je součástka tvořená difundovanými vrstvami dopantu v krystalografické mřížce křemíkové desky, dielektrickými vrstvami na povrchu křemíkové desky a vodivou vrstvou metalizace sloužící jako kontakt. Velkou výhodou výrobního procesu vysokonapěťových diod je flexibilita v možnosti použití modulu pro snižování doby života minoritních nosičů.

Název v anglickém jazyce

Qualified technology for manufacturing of fast high voltage silicon rectifiers

Popis výsledku anglicky

Complete manufacturing process in the PROMIS system, including complete electrical characterization of produced functional samples. The production process of high-voltage diodes consists of 5-6 photolithographic layers and other subsequent process steps - wet or dry dielectric etching, ion implantation, high-temperature oxidation, high-temperature diffusion, deposition of dielectric layers, deposition and etching of the metallization layer. The result of the manufacturing process is a device based on diffused dopant layers in the crystallographic lattice of the silicon wafer, dielectric layers on the surface of the silicon wafer, and a conductive metallization layer as a contact. A great advantage of our high voltage diode manufacturing process is the flexibility in the possibility of using a module to reduce the lifetime of minority carriers.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/TH03010006" target="_blank" >TH03010006: Výzkum a vývoj vysokonapěťových Si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

TH03010006-V4

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Kompletní výrobní postup v systému PROMIS, včetně kompletní elektrické charakterizace vyrobených funkčních vzorků. Výrobní postup vysokonapěťových diod sestává z 5-6 fotolitografických úrovní a s dalších návazných procesních kroků – mokré nebo suché leptání dielektrických, iontová implantace, vysokoteplotní oxidace, vysokoteplotní difúze, depozice dielektrických vrstev, depozice a leptání vrstvy metalizace. Výsledkem výrobního postupu je součástka tvořená difundovanými vrstvami dopantu v krystalografické mřížce křemíkové desky, dielektrickými vrstvami na povrchu křemíkové desky a vodivou vrstvou metalizace sloužící jako kontakt. Velkou výhodou výrobního procesu vysokonapěťových diod je flexibilita v možnosti použití modulu pro snižování doby života minoritních nosičů.

Ekonomické parametry

Throughput min. 100 wpw.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

V - Výsledek je využíván vlastníkem

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—