Prototyp reaktoru pro fosforovou difúzi 5-ti a 6-ti palcových Si desek včetně všech modulárních komponent (stínící prvky, křemenné lodičky, injektory a extraktor)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000014" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000014 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Prototyp reaktoru pro fosforovou difúzi 5-ti a 6-ti palcových Si desek včetně všech modulárních komponent (stínící prvky, křemenné lodičky, injektory a extraktor)

Popis výsledku v původním jazyce

Vytvoření prototypu reaktoru pro fosforovou difúzi 5-ti a 6-ti palcových Si desek včetně všech modulárních komponent (stínící prvky, křemenné lodičky, injektory a extraktor) pro dosažení homogenity požadovaného vrstvového odporu difundované n+ vrstvy a koncentračního profilu fosforu po ploše jednotlivých desek v celézpracovávané dávce.

Název v anglickém jazyce

A reactor prototype for phosphorus diffusion of 5 nad 6 inched Si wafors including all components (baffles, quartz boats, injector and extractor)

Popis výsledku anglicky

Evaluation of a reactor prototype for phosphorus diffusion of 5 nad 6 inched Si wafers including all components (baffles, quartz boats, injector and extractor) for achieving an uniformity of required sheet resistivity of difused layers and concentrated phosphorus profile at particular wafers in whole dose.

Druh

G_prot - Prototyp

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modifikace jednotlivých technologických zařízení dávkových procesů pro zvýšení výtěžnosti výroby vysoce účinných křemíkových solárních článků s využitím modelovacích softwarů technologických procesů CFD-ACE+ a Flow Simulation.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

SVRPD_01

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Homogenita vrstvového odporu n+ vrstvy a koncentračního profilu fosforu při dávkovém zpracování Si substrátů po ploše desek i podél reaktoru s homogenitou vrstvového odporu (mapovanou bezkontaktní sondou přes celou plochu Si desek) lepší než 3%. Zvýšenípočtu substrátů v jedné procesní dávce várce ze 100 na 300 substrátů/várka při zachování dosažených zlepšených parametrů homogenity vrstvového odporu n+ vrstvy a koncentračního profilu fosforu při dávkovém zpracování Si substrátů po ploše desek i podél reaktoru.

Ekonomické parametry

V případě implementace ověřené technolopie pro fosforovou difúzi včetně všech jeho modulárních komponent na strukturách křemíkových solárních článků do vysokoteplotních pecí SVFur společně s metodikami pro přípravu substrátů a vytváření těchto vrstev sepředpokládá 12% nárůst prodeje v segmentu difuzních reaktorů pro dopování fosforem společností SVCS Process Innovation s.r.o.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

27711170

Název vlastníka

SVCS Process Innovation s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—