The Influence of Technological Parameters on the Surface Structure of Oxide Films Prepared by Plasma Oxidation of Thin Metal Films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F44555601%3A13430%2F01%3A00001437" target="_blank" >RIV/44555601:13430/01:00001437 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Influence of Technological Parameters on the Surface Structure of Oxide Films Prepared by Plasma Oxidation of Thin Metal Films
Popis výsledku v původním jazyce
Plasma oxidation, utilising highly activated oxygen or oxygen/argon plasma, is one of the low temperature technigues used to grow of dielectric films on metal and semiconductor surfaces. The paper deals with a comparative study of plasma characteristicsand thin Al2O3 and SnO2 films surface properties. The surface structure of oxide films was studied by Atomic Force Microscopy (AFM).
Název v anglickém jazyce
The Influence of Technological Parameters on the Surface Structure of Oxide Films Prepared by Plasma Oxidation of Thin Metal Films
Popis výsledku anglicky
Plasma oxidation, utilising highly activated oxygen or oxygen/argon plasma, is one of the low temperature technigues used to grow of dielectric films on metal and semiconductor surfaces. The paper deals with a comparative study of plasma characteristicsand thin Al2O3 and SnO2 films surface properties. The surface structure of oxide films was studied by Atomic Force Microscopy (AFM).
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings XXV ICPIG - International Conference on Phenomena in Ionized Gases
ISBN
4-9900915-1-5
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
167-168
Název nakladatele
Nagoya University
Místo vydání
Nagoya, JAPAN
Místo konání akce
Nagoya
Datum konání akce
17. 7. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—