Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Plasma Oxidation of Thin Metal Films - Experiment and Modelling

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F44555601%3A13430%2F02%3A00001952" target="_blank" >RIV/44555601:13430/02:00001952 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Plasma Oxidation of Thin Metal Films - Experiment and Modelling

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Plasma oxidation, utilising oxygen or oxygen/argon plasma, is one of the low temperature techniques used to grow of dielectric films on metal and semiconductor surfaces. In this work, we have studied surface properties of Al2O3 and SnO2 thin films prepared by plasma oxidation. The oxidPe surface structure was measured by Atomic Force Microscopy (AFM). The composition, thickness and stoichiometry of oxide films were measured by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS). The experimental techniques arecombined with computer experiment, which was used in order to discuss the importance of various physical and chemical processes taking part during the plasma oxidation of metals. This computer experiment consists of set of models following various stages of real experiment.

  • Název v anglickém jazyce

    Plasma Oxidation of Thin Metal Films - Experiment and Modelling

  • Popis výsledku anglicky

    Plasma oxidation, utilising oxygen or oxygen/argon plasma, is one of the low temperature techniques used to grow of dielectric films on metal and semiconductor surfaces. In this work, we have studied surface properties of Al2O3 and SnO2 thin films prepared by plasma oxidation. The oxidPe surface structure was measured by Atomic Force Microscopy (AFM). The composition, thickness and stoichiometry of oxide films were measured by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS). The experimental techniques arecombined with computer experiment, which was used in order to discuss the importance of various physical and chemical processes taking part during the plasma oxidation of metals. This computer experiment consists of set of models following various stages of real experiment.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/OC%20527.50" target="_blank" >OC 527.50: Studium tenkých polymerních vrstev pomocí AFM a rozvoj metod diagnostiky plazmatu.</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2002

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Conference Proceedings of Joint Conference ESCAMPIG 16

  • ISBN

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    351-352

  • Název nakladatele

    Centre national de la recherche scientifique

  • Místo vydání

    Grenoble, Francie

  • Místo konání akce

    Grenoble, Francie

  • Datum konání akce

    14. 7. 2002

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku