Preparation and Characterization of SnO2 Films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F44555601%3A13430%2F03%3A00002341" target="_blank" >RIV/44555601:13430/03:00002341 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Preparation and Characterization of SnO2 Films

Popis výsledku v původním jazyce

Thin SnO2 films have wide range of applications (electronics, special coatings, etc.). Mostly, it is used when conductivity and transparency is required or in gas sensors. Tin oxide films can be prepared by many techniques such as chemical vapour deposition, spray pyrolysis, evaporation, and sputtering [1,2]. We have studied properties of SnO2 thin films produced by a thermal evaporation of Sn films followed by in situ plasma oxidation 3 . The structure of such SnO2 films and also their chemical and physical properties depend on parameters governing the growth during plasma oxidation, e.g. on both the plasma parameters and the substrate temperature. The influence of annealing and substrate heating during oxidation on the surface structure, composition,and electrical conductance of SnO2 films were studied.

Název v anglickém jazyce

Preparation and Characterization of SnO2 Films

Popis výsledku anglicky

Thin SnO2 films have wide range of applications (electronics, special coatings, etc.). Mostly, it is used when conductivity and transparency is required or in gas sensors. Tin oxide films can be prepared by many techniques such as chemical vapour deposition, spray pyrolysis, evaporation, and sputtering [1,2]. We have studied properties of SnO2 thin films produced by a thermal evaporation of Sn films followed by in situ plasma oxidation 3 . The structure of such SnO2 films and also their chemical and physical properties depend on parameters governing the growth during plasma oxidation, e.g. on both the plasma parameters and the substrate temperature. The influence of annealing and substrate heating during oxidation on the surface structure, composition,and electrical conductance of SnO2 films were studied.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC%20527.50" target="_blank" >OC 527.50: Studium tenkých polymerních vrstev pomocí AFM a rozvoj metod diagnostiky plazmatu.</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

The 41st Symposium on Basic of Ceramics

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

20

Název nakladatele

Ceramic Society of Japan

Místo vydání

Kaghoshima

Místo konání akce

Kagoshima - Japan

Datum konání akce

22. 1. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—