Rozšiřování rozhraní způsobené záměnou iontů v průběhu růstu tenké vrstvy na vysokofrekvenční elektrodě při plazmové depozici chemickou reakcí z par.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F44555601%3A13440%2F06%3A00003274" target="_blank" >RIV/44555601:13440/06:00003274 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Interface broadening due to ion mixing during thin film growth

Popis výsledku v původním jazyce

The authors show that ion bombardment in the range of tens to a few hundreds of eV, used in ion- and plasma-assisted deposition processes, can lead to thin film growth dominated by subsurface deposition due to subplantation (shallow implantation). This can cause significant interface broadening during the initial stages of film deposition as a result of ion mixing. First, by studying the modifications of a c-Si(100) target exposed to an O2 plasma at the radio-frequency (rf)-biased electrode using in situ real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), the authors detect implantation, damage, and oxidation to a depth of up to ~10 nm. They validate these results using high resolution transmission electron microscopy and simulate the effects of ion-surface interactions at the rf-biased electrode by using Monte Carlo TRIDYN simulations. The simulation code, which was modified specifically to consider a broadband ion energy source, enabled the authors to reproduce depth and time relevant exper

Název v anglickém jazyce

Interface broadening due to ion mixing during thin film growth

Popis výsledku anglicky

The authors show that ion bombardment in the range of tens to a few hundreds of eV, used in ion- and plasma-assisted deposition processes, can lead to thin film growth dominated by subsurface deposition due to subplantation (shallow implantation). This can cause significant interface broadening during the initial stages of film deposition as a result of ion mixing. First, by studying the modifications of a c-Si(100) target exposed to an O2 plasma at the radio-frequency (rf)-biased electrode using in situ real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), the authors detect implantation, damage, and oxidation to a depth of up to ~10 nm. They validate these results using high resolution transmission electron microscopy and simulate the effects of ion-surface interactions at the rf-biased electrode by using Monte Carlo TRIDYN simulations. The simulation code, which was modified specifically to consider a broadband ion energy source, enabled the authors to reproduce depth and time relevant exper

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Vacuum Science & Technology. A

ISSN

0734-2101

e-ISSN

—

Svazek periodika

24

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

2061-2069

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—