Způsob unášení substrátů při depozici tenké vrstvy na povrch substrátů a rotační stolek pro unášení substrátů podle způsobu.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F45309787%3A_____%2F15%3A%230000012" target="_blank" >RIV/45309787:_____/15:#0000012 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Způsob unášení substrátů při depozici tenké vrstvy na povrch substrátů a rotační stolek pro unášení substrátů podle způsobu.

Popis výsledku v původním jazyce

Způsob unášení substrátů při depozici tenké vrstvy na povrch substrátů a rotační stolek pro unášení substrátů podle způsobu ve vakuu z alespoň jednoho zdroje částic, přičemž dochází k homogennímu povlakování na šikmo rotující planety. Rotační stolek je vhodný pro povlakování různých substrátů, napříkad solárních článků, pro experimentální nebo poloprovozní aplikace, ale i do provozů s velkoobjemovou výrobou. Použití rotačního stolku dokáže dávková depoziční zařízení s magnetrony či obloukypřeměnit na zařízení s lepší homogenitou vrstev, případně zároveň s vyšší kapacitou a to s relativně malými náklady. Řešení lze použít pro povlakování plochých dílů kovovými vrstvami, průhledných substrátů pro optické vrstvy, křemíkových desek pro elektroniku apod.

Název v anglickém jazyce

Method of carrying substrates during the deposition of a thin layer on the surface of substrates and a rotary table for carrying the substrates according to the method

Popis výsledku anglicky

Method of carrying substrates during the deposition of a thin layer on the surface of substrates and a rotary table for carrying the substrates according to the method, enabling homogeneous deposition on rotating planets with tilted axis of rotation. Thesputtering device according to the invention is suitable for thin film deposition on various flat substrates, e.g. solar cells in experimental or laboratory applications but also large-volume production. Batch deposition devices with magnetrons or arcscan be inexpensively transformed into devices with improved homogeneity of layers, possibly together with a higher capacity using a rotary table according to the invention. The solution can be used for deposition on flat parts using metallic films, optical coatings on transparent substrates, coating silicon wafer in microelectronics, etc.

Druh

P - Patent

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/FR-TI1%2F603" target="_blank" >FR-TI1/603: Implementace efektivní technologie nanášení tenkých pasivačních a antireflexních vrstev do výroby krystalických solárních článků</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

305421

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

3. 8. 2015

Název vlastníka

HVM PLASMA, spol. s r. o.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence