Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F48399108%3A_____%2F11%3A%230000017" target="_blank" >RIV/48399108:_____/11:#0000017 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389005:_____/11:00365579 RIV/00216224:14310/11:00049805

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture

Popis výsledku v původním jazyce

The optical properties and structure of a-C:H films were modified by addition of nitrogen into the CH4/H2 deposition mixture. Three films prepared in capacitively coupled rf discharge were compared: (a) hydrogenated diamond like carbon film with hydrogencontent of 34 % and indentation hardness of 21.7 GPa, (b) hard a-C:H:N film with nitrogen content of 13 % and indentation hardness of 18.5 GPa and (c) soft a-C:H:N film with nitrogen content of 10 % and indentation hardness of 6.7 GPa. It is shown how the parametrized density of states model describing dielectric response of electronic interband transitions can be applied to modified a-C:H:N and how it can be combined with correct treatment of transmittance measured in infrared range using additional Gaussian peaks in joint density of phonon states. This analysis resulted in determination of film dielectric function in wide spectral range (0.

Název v anglickém jazyce

Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture

Popis výsledku anglicky

The optical properties and structure of a-C:H films were modified by addition of nitrogen into the CH4/H2 deposition mixture. Three films prepared in capacitively coupled rf discharge were compared: (a) hydrogenated diamond like carbon film with hydrogencontent of 34 % and indentation hardness of 21.7 GPa, (b) hard a-C:H:N film with nitrogen content of 13 % and indentation hardness of 18.5 GPa and (c) soft a-C:H:N film with nitrogen content of 10 % and indentation hardness of 6.7 GPa. It is shown how the parametrized density of states model describing dielectric response of electronic interband transitions can be applied to modified a-C:H:N and how it can be combined with correct treatment of transmittance measured in infrared range using additional Gaussian peaks in joint density of phonon states. This analysis resulted in determination of film dielectric function in wide spectral range (0.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

519

Číslo periodika v rámci svazku

13

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000290187100030

EID výsledku v databázi Scopus

—