Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A)

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A%2A0000115" target="_blank" >RIV/49610040:_____/13:*0000115 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A)

Popis výsledku v původním jazyce

Díky PECVD technologii došlo ke značnému snížení rozptylu výsledků solárních článků oproti původní LPCVD. Testy PECVD reacktorů pro výrobu krystalických Si SČ prokázali zvýšení pasivačních a antireflexních vlastností vrstev a-SiNx:H, také se dosáhlo vysoké homogenity vrstev. Nabytí znalostí depozice dielektrických vrstev pro solární a polovodičový průmysl (a-SiNx:H, a-SiOx:H, plazmatické leptání F- ionty). Nahrazení původní nákladné LPCVD depozice metodou PECVD. Značné zjednodušení výroby solárních článků a snížení výrobních nákladů při zvýšení účinnosti solárních článků.

Název v anglickém jazyce

Verified deposition technology of a-SiNx:H layer applied on the production of highly efficient solar cells - increasing the efficiency of solar cells with controlled PECVD deposition of a-SiNx:H layer (achieved efficiency on c-Si substrates 18.88%, current Isc = 5.597 A)

Popis výsledku anglicky

PECVD technology have shown significant reduction in the variance of the results of solar cells compared to the LPCVD technology. Tests of PECVD furnaces for the production of crystalline Si SCs showed increase of passivation and antireflection properties of layers a-SiNx: H, high homogeneity, knowledge in the deposition of dielectric layers like a-SiNx: H, a-SiOx: H plasma etching F-ions. Replacing of costly LPCVD deposition by PECVD. A considerable simplification of solar cell production and reduce production costs while increasing the conversion efficiency.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/FR-TI1%2F619" target="_blank" >FR-TI1/619: *Modifikace technologií depozice pasivačních a antireflexních vrstev metodou PECVD pro podmínky vertikalního reaktoru</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

1-01-012

Číselná identifikace

—

Technické parametry

Depoziční metody LPCVD: Isc = 4,795 A; Uoc = 0,571 V; FF = 78,45 %; EFF = 14,58 % (max = 15,35 %); PECVD: Isc = 5,647 A; Uoc = 0,627 V; FF = 78,92 %; EFF = 18,825 % (max = 19,062 %). Výsledek slouží k vlastnímu využití,byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/619, s MPO ze dne 28.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel: 601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz

Ekonomické parametry

Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých technologií výroby solárních článků s vysokou konverzní účinností.

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

49610040

Název vlastníka

Solartec s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—