Effects of sputtering power and pressure on properties of ZnO:Ga thin films prepared by oblique-angle deposition

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23210%2F11%3A43895749" target="_blank" >RIV/49777513:23210/11:43895749 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49777513:23640/11:43895749

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.06.073" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.06.073</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.06.073" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2011.06.073</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effects of sputtering power and pressure on properties of ZnO:Ga thin films prepared by oblique-angle deposition

Popis výsledku v původním jazyce

The effects of power and pressure on RF diode sputtering in oblique-angle (80°) deposition arrangement are presented. Oblique-angle sputtering of ZnO:Ga (GZO) thin films resulted in a tilted columnar crystalline structure and inclination of the c-axis byan angle of approximately 9° with respect to the substrate. This improved their structural, electrical and optical properties in comparison with films deposited perpendicularly to the substrate. GZO films sputtered by an RF power of 600W at room temperature of the substrate in Ar pressure 1.3Pa showed strong crystalline (002) texture, lowest electrical resistivity 3.4x10?3 omegacm, highest electron mobility 10cm2/Vs, high electron concentration 1.8x1020 cm?3 and good optical transparency up to 88%.

Název v anglickém jazyce

Effects of sputtering power and pressure on properties of ZnO:Ga thin films prepared by oblique-angle deposition

Popis výsledku anglicky

The effects of power and pressure on RF diode sputtering in oblique-angle (80°) deposition arrangement are presented. Oblique-angle sputtering of ZnO:Ga (GZO) thin films resulted in a tilted columnar crystalline structure and inclination of the c-axis byan angle of approximately 9° with respect to the substrate. This improved their structural, electrical and optical properties in comparison with films deposited perpendicularly to the substrate. GZO films sputtered by an RF power of 600W at room temperature of the substrate in Ar pressure 1.3Pa showed strong crystalline (002) texture, lowest electrical resistivity 3.4x10?3 omegacm, highest electron mobility 10cm2/Vs, high electron concentration 1.8x1020 cm?3 and good optical transparency up to 88%.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

520

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1233-1237

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—