Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43895731" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43895731 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/49777513:23210/12:43895731

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.030" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.030</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.07.030" target="_blank" >10.1016/j.vacuum.2011.07.030</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces

Popis výsledku v původním jazyce

In this article the modi?cation of surface morphology of ZnO:Ga (GZO) thin ?lms by ion sputter etching is presented. GZO thin ?lms were prepared at room temperature on Corning glass substrates by both normal and oblique angle RF diode sputtering from ZnO:2%Ga ceramic target in Ar gas. Ion sputter etching was performed by RF re-sputtering of GZO thin ?lms on substrates. During RF sputter etching, Ar pressure of 1.3 Pa and RF power of 250 W were kept constant, only the time of sputter etching was changed.

Název v anglickém jazyce

Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces

Popis výsledku anglicky

In this article the modi?cation of surface morphology of ZnO:Ga (GZO) thin ?lms by ion sputter etching is presented. GZO thin ?lms were prepared at room temperature on Corning glass substrates by both normal and oblique angle RF diode sputtering from ZnO:2%Ga ceramic target in Ar gas. Ion sputter etching was performed by RF re-sputtering of GZO thin ?lms on substrates. During RF sputter etching, Ar pressure of 1.3 Pa and RF power of 250 W were kept constant, only the time of sputter etching was changed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

86

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

703-706

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—