An influence of oblique-angle sputtering on ZnO:Ga thin film properties
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43925018" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43925018 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
An influence of oblique-angle sputtering on ZnO:Ga thin film properties
Popis výsledku v původním jazyce
The oblique-angle sputtering of ZnO thin films doped by Ga (ZnO:Ga) with oblique-angle of 80° to the horizontal (target) plane was performed. It improved significantly their preferred crystalline (002) texture and columnar crystalline structure tilted ofabout 14° declination from the substrate normal, decreased their electrical resistivity down to value of 0.0044 omegacm and increased optical transparency up to 88 %. in comparison with films deposited perpendicularly to substrate.
Název v anglickém jazyce
An influence of oblique-angle sputtering on ZnO:Ga thin film properties
Popis výsledku anglicky
The oblique-angle sputtering of ZnO thin films doped by Ga (ZnO:Ga) with oblique-angle of 80° to the horizontal (target) plane was performed. It improved significantly their preferred crystalline (002) texture and columnar crystalline structure tilted ofabout 14° declination from the substrate normal, decreased their electrical resistivity down to value of 0.0044 omegacm and increased optical transparency up to 88 %. in comparison with films deposited perpendicularly to substrate.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
978-1-4673-1197-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
275-278
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Smolenice, Slovakia
Datum konání akce
11. 11. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000316566500066