Oblique Angle Sputtering of ZnO:Ga Thin FIlms
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43921793" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43921793 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.585" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.585</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.585" target="_blank" >10.1016/j.phpro.2012.03.585</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Oblique Angle Sputtering of ZnO:Ga Thin FIlms
Popis výsledku v původním jazyce
RF diode sputtering of ZnO:Ga thin films by three type of deposition at constant oblique-angle (80°) configuration is presented: simple oblique deposition, oblique depositions by substrate sequential turning around the substrate normal - double by an 180° angle and four-times by 90°. XRD patterns and azimuthal line profiles confirmed their inclined (002) texture and SEM/TEM cross-section analyses indicated the columnar crystallic structures: tilted by about 11°, 2D- and 3D- "pseudo-zigzag"ones. Both inclined texture and tilted columnar structure of the films increased their optical transmittance and widened their direct optical band-gap.
Název v anglickém jazyce
Oblique Angle Sputtering of ZnO:Ga Thin FIlms
Popis výsledku anglicky
RF diode sputtering of ZnO:Ga thin films by three type of deposition at constant oblique-angle (80°) configuration is presented: simple oblique deposition, oblique depositions by substrate sequential turning around the substrate normal - double by an 180° angle and four-times by 90°. XRD patterns and azimuthal line profiles confirmed their inclined (002) texture and SEM/TEM cross-section analyses indicated the columnar crystallic structures: tilted by about 11°, 2D- and 3D- "pseudo-zigzag"ones. Both inclined texture and tilted columnar structure of the films increased their optical transmittance and widened their direct optical band-gap.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JJ - Ostatní materiály
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Physics Procedia
ISBN
—
ISSN
1875-3892
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
456-463
Název nakladatele
Elsevier
Místo vydání
Amsterdam
Místo konání akce
Beijing, Peoples R Chine
Datum konání akce
23. 8. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
000310677500066