Sputtering of ZnO:Ga Thin Films with the Inclined Crystalic Texture
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F10%3A00503212" target="_blank" >RIV/49777513:23640/10:00503212 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Sputtering of ZnO:Ga Thin Films with the Inclined Crystalic Texture
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper the possibility to form thin films with the inclined crystalic texture by the RF diode sputtering is presented. Two oblique deposition arrangements were used for the preparation of ZnO:Ga thin films with the deviation of their columnar structures in the range of 12 % 15 deg to the substrate normal, i.e. an inclination of their ordinary optical axis. The inclined texture of films has changed their optical transmittance spectra as well as it caused the blue-shift and the change of the optical band-gap.
Název v anglickém jazyce
Sputtering of ZnO:Ga Thin Films with the Inclined Crystalic Texture
Popis výsledku anglicky
In this paper the possibility to form thin films with the inclined crystalic texture by the RF diode sputtering is presented. Two oblique deposition arrangements were used for the preparation of ZnO:Ga thin films with the deviation of their columnar structures in the range of 12 % 15 deg to the substrate normal, i.e. an inclination of their ordinary optical axis. The inclined texture of films has changed their optical transmittance spectra as well as it caused the blue-shift and the change of the optical band-gap.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings 27th International Conference on Microelectronics
ISBN
978-1-4244-7198-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, inc.
Místo vydání
Niš
Místo konání akce
Niš, Serbia
Datum konání akce
1. 1. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—