Pulsed dc magnetron discharge for high-rate sputtering of this films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F01%3A00064883" target="_blank" >RIV/49777513:23520/01:00064883 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Pulsed dc magnetron discharge for high-rate sputtering of this films

Popis výsledku v původním jazyce

This article analyzes a pulsed magnetron discharge. Main attention is devoted to the specific behaviour of the pulsed discharge. The time development of pulsed discharge is composed of three regimes of operation: (1) plasma buildup, (2) stationary plasma, and (3) decaying plasma when the pulse power is off. The duration of individual regimes strongly depends on the pulse length t1, the repetition frequency fr of pulses, the power delivered into the discharge, and the operating pressure. The proportion of duration of the regime of plasma buildup to the regime of stationary plasma in the pulse dramatically influences the I-V characteristics of the pulsed discharge and the deposition rate of sputtered films. The I-V characteristics of an unbalanced roundplanar magnetron with a Cu target 100 mm in diameter are shown. The deposition rate of Cu films sputtered with the pulsed magnetron is also given.

Název v anglickém jazyce

Pulsed dc magnetron discharge for high-rate sputtering of this films

Popis výsledku anglicky

This article analyzes a pulsed magnetron discharge. Main attention is devoted to the specific behaviour of the pulsed discharge. The time development of pulsed discharge is composed of three regimes of operation: (1) plasma buildup, (2) stationary plasma, and (3) decaying plasma when the pulse power is off. The duration of individual regimes strongly depends on the pulse length t1, the repetition frequency fr of pulses, the power delivered into the discharge, and the operating pressure. The proportion of duration of the regime of plasma buildup to the regime of stationary plasma in the pulse dramatically influences the I-V characteristics of the pulsed discharge and the deposition rate of sputtered films. The I-V characteristics of an unbalanced roundplanar magnetron with a Cu target 100 mm in diameter are shown. The deposition rate of Cu films sputtered with the pulsed magnetron is also given.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Vacuum Science and Technology

ISSN

07342101

e-ISSN

—

Svazek periodika

Vol. 19

Číslo periodika v rámci svazku

č. 2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—