Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F02%3A00072775" target="_blank" >RIV/49777513:23520/02:00072775 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/02:02030553 RIV/61389005:_____/02:02030553 RIV/49777513:23520/02:00000528 RIV/49777513:23520/02:00000529

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Si-C-N films were deposited on p-type Si (100) substrates by dc magnetron co-sputtering of silicon and carbon using a single sputter target with variable Si/C area ratios in nitrogen-argon mixtures. The film characteristics were primarily controlled by the argon concentration (0-75%) in the gas mixture at a fixed 40% silicon fraction in the magnetron erosion track area. The total pressure and the discharge current on the magnetron target were held constant at P = 0.5 Pa, Im = 1 A, the substrate temperature was adjusted at Ts = 600 C by an ohmic heater and the rf-induced negative substrate bias voltage, Ub was -500 V.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films

  • Popis výsledku anglicky

    Si-C-N films were deposited on p-type Si (100) substrates by dc magnetron co-sputtering of silicon and carbon using a single sputter target with variable Si/C area ratios in nitrogen-argon mixtures. The film characteristics were primarily controlled by the argon concentration (0-75%) in the gas mixture at a fixed 40% silicon fraction in the magnetron erosion track area. The total pressure and the discharge current on the magnetron target were held constant at P = 0.5 Pa, Im = 1 A, the substrate temperature was adjusted at Ts = 600 C by an ohmic heater and the rf-induced negative substrate bias voltage, Ub was -500 V.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/ME%20203" target="_blank" >ME 203: Nové systémy pro přípravu tenkých vrstev v plazmatu</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2002

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and Coatings Technology

  • ISSN

    02578972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    Vol. 160

  • Číslo periodika v rámci svazku

    leden

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    74

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus