Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F02%3A00072775" target="_blank" >RIV/49777513:23520/02:00072775 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/02:02030553 RIV/61389005:_____/02:02030553 RIV/49777513:23520/02:00000528 RIV/49777513:23520/02:00000529
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films
Popis výsledku v původním jazyce
Si-C-N films were deposited on p-type Si (100) substrates by dc magnetron co-sputtering of silicon and carbon using a single sputter target with variable Si/C area ratios in nitrogen-argon mixtures. The film characteristics were primarily controlled by the argon concentration (0-75%) in the gas mixture at a fixed 40% silicon fraction in the magnetron erosion track area. The total pressure and the discharge current on the magnetron target were held constant at P = 0.5 Pa, Im = 1 A, the substrate temperature was adjusted at Ts = 600 C by an ohmic heater and the rf-induced negative substrate bias voltage, Ub was -500 V.
Název v anglickém jazyce
Influence of nitrogen-argon gas mixtures on reactive magnetron sputtering of hard Si-C-N films
Popis výsledku anglicky
Si-C-N films were deposited on p-type Si (100) substrates by dc magnetron co-sputtering of silicon and carbon using a single sputter target with variable Si/C area ratios in nitrogen-argon mixtures. The film characteristics were primarily controlled by the argon concentration (0-75%) in the gas mixture at a fixed 40% silicon fraction in the magnetron erosion track area. The total pressure and the discharge current on the magnetron target were held constant at P = 0.5 Pa, Im = 1 A, the substrate temperature was adjusted at Ts = 600 C by an ohmic heater and the rf-induced negative substrate bias voltage, Ub was -500 V.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ME%20203" target="_blank" >ME 203: Nové systémy pro přípravu tenkých vrstev v plazmatu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface and Coatings Technology
ISSN
02578972
e-ISSN
—
Svazek periodika
Vol. 160
Číslo periodika v rámci svazku
leden
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
74
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—