Nové kvaternární Si-B-C-N vrstvy připravené reaktivním magnetronovým naprašováním

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F07%3A00000023" target="_blank" >RIV/49777513:23520/07:00000023 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Popis výsledku v původním jazyce

In this work, a systematic investigation of reactive magnetron sputtering of hard quaternary Si-B-C-N materials has been carried out. The Si-B-C-N films were deposited on Si and SiC substrates by dc magnetron co sputtering using a single C-Si-B or B4C-Sitarget in nitrogen-argon gas mixtures. Elemental compositions of the films, their bonding structure, nanostructure, and mechanical, tribological and optical properties, together with their oxidation resistance in air, were controlled by the Si fractionin the magnetron target erosion area, the Ar fraction in the gas mixture, the rf induced negative substrate bias voltage and the substrate temperature. The energy and flux of ions bombarding the growing films were determined on the basis of the measureddischarge characteristics.

Název v anglickém jazyce

Novel quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Popis výsledku anglicky

In this work, a systematic investigation of reactive magnetron sputtering of hard quaternary Si-B-C-N materials has been carried out. The Si-B-C-N films were deposited on Si and SiC substrates by dc magnetron co sputtering using a single C-Si-B or B4C-Sitarget in nitrogen-argon gas mixtures. Elemental compositions of the films, their bonding structure, nanostructure, and mechanical, tribological and optical properties, together with their oxidation resistance in air, were controlled by the Si fractionin the magnetron target erosion area, the Ar fraction in the gas mixture, the rf induced negative substrate bias voltage and the substrate temperature. The energy and flux of ions bombarding the growing films were determined on the basis of the measureddischarge characteristics.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

18th International Symposium on Plasma Chemistry

ISBN

978-4-9903773-2-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

362-362

Název nakladatele

International Plasma Chemistry Society

Místo vydání

Kyoto

Místo konání akce

Kyoto

Datum konání akce

1. 1. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—